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AO5800E的图片

AO5800E

FET - 阵列

制造厂商：AOS(美国万代半导体)

功能简述：MOSFET 2N-CH 60V 0.4A SC89-6L

原厂封装：SOT-563，SOT-666

优势价格，AO5800E的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货

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AO5800E的功能参数资料 - AOS公司提供

AOS公司标准完整型号: AO5800E

制造厂家名称: AOS公司（Alpha & Omega Semiconductor Inc.）

功能总体简述: MOSFET 2N-CH 60V 0.4A SC89-6L

系列: -

FET 类型: 2 个 N 沟道（双）

FET 功能: 逻辑电平门

漏源极电压（Vdss）: 60V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）: -

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）: 1.6 欧姆 @ 400mA，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）: 2.5V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）: -

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）: 50pF @ 30V

功率 - 最大值: 400mW

安装类型: 表面贴装

封装/外壳: SOT-563，SOT-666

AOS器件封装: SC-89-6

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F

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F

AO5803E

FET - 单

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