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AO6602L
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AO6602L技术资料
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AO6602L
FET - 阵列
制造厂商:
AOS(美国万代半导体)
功能简述:
MOSFET N/P-CH 30V 6-TSOP
原厂封装:
SC-74,SOT-457
优势价格,AO6602L的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
AO6602L的技术资料下载
AO6602L的功能参数资料 - AOS公司提供
AOS公司标准完整型号: AO6602L
制造厂家名称: AOS公司(Alpha & Omega Semiconductor Inc.)
功能总体简述: MOSFET N/P-CH 30V 6-TSOP
系列: -
FET 类型: N 和 P 沟道
FET 功能: 逻辑电平门
漏源极电压(Vdss): 30V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时): -
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值): 75 毫欧 @ 3.1A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值): 3V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg): 8.5nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss): 240pF @ 15V
功率 - 最大值: 1.15W
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: SC-74,SOT-457
AOS器件封装: 6-TSOP
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