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AOB11S60L
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AOB11S60L技术资料
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AOB11S60L
FET - 单
制造厂商:
AOS(美国万代半导体)
功能简述:
MOSFET N-CH 600V 11A TO263
原厂封装:
TO-263-3,D2Pak
优势价格,AOB11S60L的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
AOB11S60L的技术资料下载
AOB11S60L的功能参数资料 - AOS公司提供
AOS公司标准完整型号: AOB11S60L
制造厂家名称: AOS公司(Alpha & Omega Semiconductor Inc.)
功能总体简述: MOSFET N-CH 600V 11A TO263
系列: aMOS?
FET 类型: MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能: 标准
漏源极电压(Vdss): 600V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时): 11A(Tc)
不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值): 399 毫欧 @ 3.8A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值): 4.1V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg): 11nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss): 545pF @ 100V
功率 - 最大值: 178W
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: TO-263-3,D2Pak(2 引线+接片),TO-263AB
AOS器件封装: TO-263(D2Pak)
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