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AOD11S60
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AOD11S60技术资料
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AOD11S60
FET - 单
制造厂商：
AOS(美国万代半导体)
功能简述：
MOSFET N-CH 600V 11A TO252
原厂封装：
TO-252-3，DPak
优势价格，AOD11S60的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
AOD11S60的技术资料下载
AOD11S60的功能参数资料 - AOS公司提供
AOS公司标准完整型号: AOD11S60
制造厂家名称: AOS公司（Alpha & Omega Semiconductor Inc.）
功能总体简述: MOSFET N-CH 600V 11A TO252
系列: aMOS?
FET 类型: MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能: 标准
漏源极电压（Vdss）: 600V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）: 11A（Tc）
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）: 399 毫欧 @ 3.8A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）: 4.1V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）: 11nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）: 545pF @ 100V
功率 - 最大值: 208W
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63
AOS器件封装: TO-252，（D-Pak）
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