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AOD606
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AOD606技术资料
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AOD606
FET - 阵列
制造厂商：
AOS(美国万代半导体)
功能简述：
MOSFET N/P-CH 40V 8A TO252-4
原厂封装：
TO-252-5，DPak
优势价格，AOD606的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
AOD606的技术资料下载
AOD606的功能参数资料 - AOS公司提供
AOS公司标准完整型号: AOD606
制造厂家名称: AOS公司（Alpha & Omega Semiconductor Inc.）
功能总体简述: MOSFET N/P-CH 40V 8A TO252-4
系列: -
FET 类型: N 和 P 沟道，共漏
FET 功能: 逻辑电平门
漏源极电压（Vdss）: 40V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）: 8A
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）: 33 毫欧 @ 8A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）: 3V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）: 9.2nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）: 404pF @ 20V
功率 - 最大值: 1.6W，1.7W
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: TO-252-5，DPak（4 引线 + 接片），TO-252AD
AOS器件封装: TO-252-4L
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