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AON2809
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AON2809技术资料
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AON2809
FET - 阵列
制造厂商:
AOS(美国万代半导体)
功能简述:
MOSFET 2P-CH 12V 2A 6DFN
原厂封装:
6-WDFN
优势价格,AON2809的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
AON2809的技术资料下载
AON2809的功能参数资料 - AOS公司提供
AOS公司标准完整型号: AON2809
制造厂家名称: AOS公司(Alpha & Omega Semiconductor Inc.)
功能总体简述: MOSFET 2P-CH 12V 2A 6DFN
系列: -
FET 类型: 2 个 P 沟道(双)
FET 功能: 逻辑电平门
漏源极电压(Vdss): 12V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时): 2A
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值): 68 毫欧 @ 2A,4.5V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值): 900mV @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg): 4.4nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss): 415pF @ 6V
功率 - 最大值: 2.1W
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: 6-WDFN 裸露焊盘
AOS器件封装: 6-DFN-EP(2x2)
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