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AON5802B
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AON5802B技术资料
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AON5802B
FET - 阵列
制造厂商：
AOS(美国万代半导体)
功能简述：
MOSFET 2N-CH 30V 7.2A 6DFN
原厂封装：
6-SMD，扁平引线裸焊盘
优势价格，AON5802B的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
AON5802B的技术资料下载
AON5802B的功能参数资料 - AOS公司提供
AOS公司标准完整型号: AON5802B
制造厂家名称: AOS公司（Alpha & Omega Semiconductor Inc.）
功能总体简述: MOSFET 2N-CH 30V 7.2A 6DFN
系列: -
FET 类型: 2 N 沟道（双）共漏
FET 功能: 逻辑电平门
漏源极电压（Vdss）: 30V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）: 7.2A
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）: 19 毫欧 @ 7A，4.5V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）: 1.5V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）: 24nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）: 1150pF @ 15V
功率 - 最大值: 1.6W
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: 6-SMD，扁平引线裸焊盘
AOS器件封装: 6-DFN-EP（2x5）
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