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AOU2N60
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AOU2N60技术资料
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AOU2N60
FET - 单
制造厂商：
AOS(美国万代半导体)
功能简述：
MOSFET N-CH 600V 2A TO251
原厂封装：
TO-251-3
优势价格，AOU2N60的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
AOU2N60的技术资料下载
AOU2N60的功能参数资料 - AOS公司提供
AOS公司标准完整型号: AOU2N60
制造厂家名称: AOS公司（Alpha & Omega Semiconductor Inc.）
功能总体简述: MOSFET N-CH 600V 2A TO251
系列: -
FET 类型: MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能: 标准
漏源极电压（Vdss）: 600V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）: 2A（Tc）
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）: 4.4 欧姆 @ 1A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）: 4.5V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）: 11nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）: 325pF @ 25V
功率 - 最大值: 56.8W
安装类型: 通孔
封装/外壳: TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA
AOS器件封装: TO-251
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