AOS公司提供采用 DFN 5 x 6 和 Micro-DFN 3.2 x 2 封装以及共漏极配置的双通道 MOSFET 系列。 这些器件适用于电池组应用，其中两个 N 沟道 MOSFET 背靠背连接，以确保安全充放电并提供电压保护。 这些产品实现了在 10 V 栅极驱动下还不到 10 mΩ 的超低 RSS （源到源电阻）。 AON6810、AON6812 和 AOC4810 为增强最新一代超极本、平板电脑中的电池组性能提供了理想的解决方案，满足了这些应用中电池寿命优化所必需的低导通损耗要求。

AON6810、AON6812 和 AOC4810 使用 AlphaMOS 技术来实现较低的 RDS (ON) 和 4 kV ESD 保护，以增强电池组安全。 AON6810 和 AON6812 使用露底式 DFN 5 x 6 封装，可增强散热能力。 AON6812 在 10 V 电压源驱动下具有低至 8 m 的最大总 RSS  电阻。 该器件具有 30 V 额定击穿电压，能够充放电笔记本电脑的电池组，具有最少的功率损耗和热耗散。 AON6810 使用内部温度检测二极管提供更高一级的保护，为电池控制 IC 提供第一手的热信息。 通过利用 AON6810 的温度检测引脚，设计人员可以实时精确监控 MOSFET 的热状况，以防任何异常过热。

为了满足超薄电池组的要求，AOC4810 充分利用了 AOS 创新的微型 DFN 封装，这种封装超扁平，仅 0.4 mm 厚。 与传统的 CSP（芯片级封装）不同，微型 DFN 的硅包封为内核提供了全面的保护并作了出色的防潮隔离处理，因而消除了内核修整的风险。 当板空间是主要关注因素时，AOC4810 就是理想的选择，可进一步增强功率密度。 AOC4810 尺寸仅为 3.2 mm x 2 mm，最大 RSS   级别达 8.8 m ，最大程度地降低了传导损耗和散热需要。

特性和优势 AON6810

沟槽式功率 AlphaMOS (αMOS LV) 技术

很低的 RDS (ON)（ VGS 为 4.5 V时）

低栅极电荷

ESD 保护

符合 RoHS 规范且无卤素

共漏

集成温度检测二极管